Samsung bắt đầu sản xuất hàng loạt chip lưu trữ 512GB eUFS 3.1

Nếu bạn đã quên, Samsung là một trong những thương hiệu đầu tiên sản xuất chip lưu trữ dựa trên tiêu chuẩn UFS 2.0, UFS 2.1 và UFS 3.0. Bây giờ, công ty đã thông báo rằng họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt chip lưu trữ 512GB dựa trên tiêu chuẩn eUFS 3.1 mới.

Các chip 512GB eUFS 3.1 này đã được sử dụng trong dòng Galaxy S20 mới nhất và chúng ta có thể hy vọng chúng sẽ xuất hiện trong các điện thoại thông minh cao cấp từ các thương hiệu khác. Các chip lưu trữ eUFS 3.1 này có thể đạt tốc độ đọc và ghi tuần tự lên tới 2100MB / s và 1200MB / s, tương ứng. Tốc độ ghi tuần tự hiện cao gấp ba lần so với trên chip eUFS 3.0 .

Dữ liệu được đọc và ghi ngẫu nhiên (IOPS) cũng đã có cải thiện, ở mức 100.000 IOPS và 70.000 IOPS, tương ứng. Samsung nói rằng những con chip này có thể được sử dụng để lưu video 8K được ghi trên các điện thoại thông minh hiện đại mà không có bất kỳ bộ đệm nào. Khoảng 100 GB dữ liệu có thể được chuyển từ điện thoại cũ sang điện thoại được trang bị lưu trữ eUFS 3.1 trong vòng 1,5 phút.

Cheol Choi, Phó chủ tịch mảng kinh doanh chip của Samsung Electronics cho biết, với sự xuất hiện của bộ nhớ di động nhanh nhất, người dùng điện thoại thông minh sẽ không còn phải lo lắng về tình trạng tắc nghẽn mà họ gặp phải với thẻ lưu trữ thông thường. "EUFS 3.1 mới phản ánh cam kết tiếp tục của chúng tôi trong việc hỗ trợ nhu cầu ngày càng tăng nhanh từ các nhà sản xuất điện thoại thông minh toàn cầu trong năm nay", ông Choi chia sẻ.

Samsung cũng sẽ cung cấp chip lưu trữ eUFS 3.1 với dung lượng 128GB và 256GB. Gã khổng lồ chip Hàn Quốc bắt đầu sản xuất hàng loạt chip lưu trữ V-NAND thế hệ thứ năm tại dây chuyền X2 của mình ở Tây An, Trung Quốc. Công ty cũng đang lên kế hoạch chuyển dòng P1 tại Pyeongtaek, Hàn Quốc, từ chip thế hệ thứ năm sản xuất hàng loạt sang chip thế hệ thứ sáu để theo kịp nhu cầu.

Theo sammobile