Xiaomi Pocophone F1 lộ điểm hiệu năng ấn tượng trên Geekbench với chip SD 845 và RAM 6GB
https://fptshop.com.vn/https://fptshop.com.vn/
Nguyễn Nghĩa
7 năm trước

Xiaomi Pocophone F1 lộ điểm hiệu năng ấn tượng trên Geekbench với chip SD 845 và RAM 6GB

Pocophone F1 được đồn đoán sẽ là chiếc smartphone Android nhanh nhất, nhưng rẻ nhất
Chia sẻ:
Cỡ chữ nhỏ
Cỡ chữ nhỏ
Cỡ chữ lớn

Vào ngày 22 tháng 8 sắp tới đây, Xiaomi Pocophone F1 - smartphone chạy Snapdragon 845 rẻ nhất trên thị trường sẽ chính thức ra mắt. Hôm nay, điện thoại này vừa ghé thăm công cụ đo điểm chuẩn Geekbench và cho thấy điểm hiệu năng vô cùng ấn tượng.

Xiaomi Pocophone F1 lộ điểm hiệu năng ấn tượng trên Geekbench

Cụ thể, theo những thông tin được tiết lộ từ Geekbench thì chiếc smartphone mới của Xiaomi sẽ chạy trên hệ điều hành Android 8.1 Oreo và có sức mạnh xử lý được cung cấp bởi con chip Snapdragon 845, 8 nhân tốc độ 1.77 GHz và đi kèm dung lượng RAM 6GB.

Với cấu hình trên, Xiaomi Pocophone F1 ghi được điểm số Geekbench là 2,467 điểm đơn nhân và 9,081 điểm đa nhân. Kết quả này cực kỳ ấn tượng trong bảng xếp hạng hiệu năng CPU và nó vượt qua hàng loạt đối thủ “sừng sỏ” khác cũng dùng chip Snapdragon 845 như OnePlus 6, Xiaomi Mi 8 và Samsung Galaxy S9 Plus.

Cũng theo các báo cáo trước đây, Xiaomi đã hợp tác với Qualcomm để tối ưu hóa hiệu năng của bộ vi xử lý Snapdragon 845 trên những chiếc smartphone của mình. Đây có thể là lý do vì sao Pocophone F1 có điểm số ấn tượng.

Ngoài ra, theo những tin đồn mới nhất thì ngoài bộ xử lý Snapdragon 845 và RAM 6GB, Pocophone F1 sẽ có bộ nhớ trong 64GB, pin 4,000 mAh, camera sau kép 16MP + 5MP, camera selfie 20MP và hệ thống tản nhiệt bằng chất lỏng.

Theo: Gizmochina

Sản phẩm liên quan (1)
Xiaomi Pocophone F1

Liên hệ tư vấn

Xiaomi Pocophone F1

Thương hiệu đảm bảo

Thương hiệu đảm bảo

Nhập khẩu, bảo hành chính hãng

Đổi trả dễ dàng

Đổi trả dễ dàng

Theo chính sách đổi trả tại FPT Shop

Giao hàng tận nơi

Giao hàng tận nơi

Trên toàn quốc

Sản phẩm chất lượng

Sản phẩm chất lượng

Đảm bảo tương thích và độ bền cao