Xiaomi Redmi K50 Gaming Edition đạt chứng nhận 3C, xác nhận có sạc nhanh 120W

Hôm nay, sản phẩm này vừa được cơ quan chứng nhận 3C của Trung Quốc phê duyệt và nhờ đó mà một vài thông số kỹ thuật chính của chúng đã được xác nhận.

Như bạn có thể thấy, Redmi K50 Gaming sẽ được trang bị công nghệ sạc nhanh 120W siêu tốc. Củ sạc này có tên mà là 21121210C. Như thường lệ, danh sách 3C không tiết lộ bất kỳ chi tiết nào khác về thiết bị. Tuy nhiên, leaker nổi tiếng Digital Chat Station cũng đã xác nhận thông qua một bài đăng trên Weibo rằng Redmi K50 Gaming sẽ đi kèm với hỗ trợ sạc siêu nhanh 120W.

Nguồn tin này cũng tiết lộ rằng, điện thoại thông minh chơi game cao cấp sắp tới của Xiaomi có thể sẽ được cung cấp sức mạnh bởi chipset MediaTek Dimensity 9000 sử dụng quy trình 4nm của TSMC và kiến ​​trúc Armv9. Chipset này đi kèm với một lõi siêu lớn Cortex-X2 hiệu năng cao, có bộ xử lý tín hiệu hình ảnh HDR-ISP 18-bit cao cấp cho phép ba camera quay video HDR cùng lúc với mức tiêu thụ điện năng thấp.

Giống như tên gọi, Redmi K50 Gaming Edition sẽ tập trung vào hiệu suất chơi game được tối ưu hóa. Thiết bị dự kiến ​​sẽ sử dụng thiết kế đục lỗ để chứa camera selfie. Thiết kế của điện thoại thông minh này được cho là sẽ tương tự như phiên bản chơi game Redmi K40, với hai nút trigger để chơi game. Ngoài ra, nó dự kiến ​​sẽ được cài đặt sẵn MIUI 13 dựa trên Android 12.